兴奋性突触后电位（Excitatory Postsynaptic Potential, EPSP）是当神经递质作用于突触后膜上的受体时，导致突触后膜对某些离子的通透性增加，通常是对钠离子和钾离子的通透性增加。当这些离子通过通道进入或离开细胞时，会引起突触后膜轻微去极化，这种变化被称为兴奋性突触后电位。
具体过程如下：当一个动作电位到达神经元的轴突末梢时，会触发钙离子流入末梢内部，进而促使含有兴奋性递质的小泡与突触前膜融合并释放递质到突触间隙。这些递质随后扩散至突触后膜并与相应的受体结合，导致受体门控通道开放。对于大多数兴奋性突触来说，这通常意味着钠离子的内流超过了钾离子的外流，从而使得膜电位向去极化方向变化。如果这种去极化的程度足够大，就可能引发该神经元产生动作电位。
需要注意的是，EPSP本身不足以引起动作电位的发生，它只是为动作电位的产生创造了一个有利条件。多个EPSP的同时或连续发生可能会累积起来达到阈值水平，从而触发动作电位。此外，还存在抑制性突触后电位（Inhibitory Postsynaptic Potential, IPSP），它可以对抗EPSP的作用，调节神经元的兴奋状态。
具体过程如下：当一个动作电位到达神经元的轴突末梢时，会触发钙离子流入末梢内部，进而促使含有兴奋性递质的小泡与突触前膜融合并释放递质到突触间隙。这些递质随后扩散至突触后膜并与相应的受体结合，导致受体门控通道开放。对于大多数兴奋性突触来说，这通常意味着钠离子的内流超过了钾离子的外流，从而使得膜电位向去极化方向变化。如果这种去极化的程度足够大，就可能引发该神经元产生动作电位。
需要注意的是，EPSP本身不足以引起动作电位的发生，它只是为动作电位的产生创造了一个有利条件。多个EPSP的同时或连续发生可能会累积起来达到阈值水平，从而触发动作电位。此外，还存在抑制性突触后电位（Inhibitory Postsynaptic Potential, IPSP），它可以对抗EPSP的作用，调节神经元的兴奋状态。
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